南京

场效应管MOS P06P03LDG-VB TO-252 30V 26A VBsemi微碧

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场效应管MOS ME20P03-VB TO-252-2 30V 26A VBsemi微碧

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场效应管MOS CMD20P03-VB TO-252 30V 26A VBsemi微碧

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场效应管MOS P06P03LDG-VB TO-252 30V 26A VBsemi微碧

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场效应管MOS PA102FDG-VB TO-252-2 30V 26A VBsemi微碧

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场效应管MOS CMD20P03-VB TO-252 30V 26A VBsemi微碧

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场效应管MOS NTD25P03LG-VB TO-252 30V 26A VBsemi微碧

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场效应管MOS UT9435G-TN3-R-VB TO-252 30V 26A VBsemi微碧

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场效应管MOS UT9435G-TN3-R-VB TO-252 30V 26A VBsemi微碧

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场效应管MOS SI7212DN-VB DFN-8(3x3) 30V 26A VBsemi/微碧

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ME20P03-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:30V 电流:26A TO-25

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UT9435G-TN3-R-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:30V 电流:26A

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25P03LG-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:30V 电流:26A TO-25

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P06P03LDG-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:30V 电流:26A TO-

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STF33N60M2-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:600V 电流:26A T

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IPA65R125C7-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:650V 电流:26A

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STF33N65M2-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:650V 电流:26A T

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TK25A60X-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:600V 电流:26A TO-

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AOD405-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:30V 电流:26A TO-252

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